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文献检索:
  • 中国报废汽车的回收 免费阅读 收费下载
  • 截止2007年底,中国公路上行驶的汽车达到4300万辆,生产与进口速度飞速增长。据估计,2007年应该报废的汽车数量为300~600万辆;但2006年数据表明,仅有38万辆车被拆解。根据最新估计,到2010年将有500万辆车达到报废年龄。这些数据对中国报废汽车(ELV)回收业既是挑战,又是机遇。
  • 用于热管理的金刚石-铝复合材料 免费阅读 免费下载
  • 奥地利的Plansee高性能材料公司用先进的粉末冶金工艺制备了具有高热传导性(400~700w/mK)的Ag、Al和Cu基金属一金刚石复合材料。复合材料的CTE约6~9ppm/K,与大部分半导体材料匹配。
  • 用于电池阴极的Li—Mn氧化物 免费阅读 免费下载
  • 一种用Li-富Mn氧化物制成的复合阴极材料能够延长两次充电之间的使用时间,提高使用寿命、提高Li离子电池的安全性。这种材料是由阿贡国家实验室研发的。复合材料的高稳定性使电池可以在较高的电压下充电。由于每单位重量的活性材料具有较高的容量和较高的电压,所以这种材料具有较高的储能容量。
  • IBM联盟已准备好28nm监测工具 免费阅读 收费下载
  • 利用高k/金属栅工艺的优势,IBM联盟管理者称:目前用户已可得到28nm监测工具。工BM副总裁指出,有些公司可能利用多晶氧化氮栅堆栈直接由45/40nm工艺代跨越到利用高k的32/28nm工艺代。有的消费者计划一次性的由32nm“缩小”到28nm,而另一些消费者则打算由目前的65nm和45nm工艺代直接连向28nm。
  • 无铅合金替代品的管理方法 免费阅读 免费下载
  • 国际电子制造创业联合会(iNEMI)发布了一系列建议,帮助电子工业对无铅合金替代品进行管理。虽然SAC305/405己成为最常用的无铅合金,但它们不能满足工业在多方面的需要。iNEM工认为有必要开发一些新的合金。iNEM工建议产业部门如何控制这些多元合金焊料的使用。
  • 石墨烯将代替Cu用于IC互连 免费阅读 收费下载
  • Georgia Tech公司的研究人员称从实验上证实:石墨烯具有代替Cu用于芯片上的互连的潜力,并有助于延伸Si基IC等比缩小(器件)。该研究成果发表于2009年6月的IEEE“电子器件通信”(IEEE J.of Electron Device Letters)杂志上。
  • 自组装铂有可能成为更好的催化剂 免费阅读 免费下载
  • 利用软塑料作引子,康奈尔大学的研究人员开发出一个金属自组装方法将其制成复杂的造型。这一工作有希望用来制出燃料电池或工业生产中使用的更高效、更廉价的催化剂。它还可能制出在微芯片间比现有普通传导线传输更多信息的等离子表面结构。
  • 英特尔公司关于EUV的最新报告 免费阅读 收费下载
  • 在2009年6月18日举行的“芯片制造者”年会上,英特尔公司介绍了EUV(极紫外光刻)的现状。EUV源技术最为关键,该工具的“第一期”(用于研发)β源之一可运行的工具为10片/h(10wph),以“爆发”模式运行可将速度提高5倍。
  • Oerlikon Solar公司探讨达到0.7美元/W薄膜光伏电池板的路径 免费阅读 免费下载
  • Oerlikon Solar公司宣布,在其1.4m^2的micromorph(一种薄膜工艺)光伏电池板上获得了151W的初始功率,初始转换效率为11%。他们是在非晶Si(a-Si)层上增加了第二个微晶(uc)吸收层(它可转换红光及近红外光谱的能量)从而提高了太阳电池的效率。
  • 应用材料公司的22nm Cu阻挡层/籽晶层PVD技术 免费阅读 免费下载
  • 应用材料公司称,他们有一新的Endura Cu BS RFX PVD(物理气相沉积)系统,可用于32nm和22nm逻辑和闪速存储器生产中的Cu阻挡层/籽晶层(Cu barrier/seed)沉积,每片成本低于与其竞争的工艺(比如CVD等)达40%。
  • 用于32nm的钨CVD加工 免费阅读 收费下载
  • Novellus公司称,他们开发了一种新的Cool Fill(冷注入)W的CVD加工,对实现无孔洞注入(满足国际半导体技术指南中32nm DMAM和逻辑器件的电学性质要求)提供了较大的加工余地。尤其是低温CVD(〈395℃)直接解决了ITRS(国际半导体技术指南)所规定的高-宽比(AR)问题:
  • IMEC发布到10nm的内连计划 免费阅读 免费下载
  • IMEC己证实到10nm工艺代内连的可行性(将在2022年实现)。该中心称:已有20nm内连的解决方法,10nm结构正在研究中。对22nm工艺,该中心评价了几种势垒金属(TaN/Ta、RuTa、TaN+Co和MnOx)对Cu填充能力、电学性能和CMP(/4学机械平面化)兼容性。
  • MIT用“干涉”光刻步骤制成36nm线 免费阅读 免费下载
  • MIT(麻省理工学院)的一个研究组用干涉图形和光致变色材料制出36nm线宽,并称这一技术可以延伸到分子尺度图形化。这一研究结果发表在2009年4月第10期“科学”杂志上。它是基于“吸收调制”,涉及干涉图形化,用不同波长的光去相互增强或相互抵消。
  • 200mmSi片中因机械负载引起的塑性形变 免费阅读 收费下载
  • 随着对无晶体原生颗粒(COP)Si衬底需求量的增加,大直径Si片在高至1200℃下的Ar或H2气氛中退火变得越来越重要。这里面,无滑移高温加工是一个关键问题。一般说来,加工过程中热或重量作用会在晶片中产生剪切应力。
  • 储氢材料镁的进展 免费阅读 免费下载
  • 瑞典乌普萨拉大学的研究人员证实了镁纳米颗粒释放氢的原子机理。氢燃料电池所以成为一种颇具吸引力的可替代能源,主要是由于氢是地球上储量最丰富的一种元素。氢与燃料电池中的氧发生化学反应产生能量的同时,仅仅释放出水。但是,直至目前如何将氢以紧凑方式储存起来,仍是一个未解的难题。
  • 核燃料回收新技术 免费阅读 免费下载
  • 设于田纳西州的橡树岭国家实验室(ORNL)成功地从耗尽的核燃料中回收到混合氧化物颗粒,在这个工艺中无需产生单独的钚蒸气。在常用的回收方法中,必须从耗尽的核燃料中单独地将钚提取出来,这就会引发核扩散问题,因为可裂变钚有可能被用于制造核武器。
  • 材料成本决定c—Si电池与a—Si电池的市场份额 免费阅读 收费下载
  • 2009年,c—Si(结晶-Si)电池和a-Si电池(非晶Si电池)的增长率只有10%-15%。c—Si电池组件目前的价格为2.5~3美元/Wp,到年底可望降低5%~10%。a-Si电池组件的价格为1.2-2美元/Wp。
  • 增加生产投资的信号 免费阅读 收费下载
  • 2009年是“可怕”的一年。就生产活动投资而言,花费在制造结构项目方面的费用,从2008年以来每季度都在下降。2009年比2008年估计下降56%,是近10年来花费最少的(不足20亿美元)。在设备研发和生产方面,也比2008年下降50%。
  • 美国科技依然领先 免费阅读 免费下载
  • 兰德公司一项研究表明,美国在全世界科学技术方面依然处于领先地位。该研究指出,美国在科学研究与发展方面的投资占全世界的40%,全世界诺贝尔奖获得者中有70%在美国工作,全世界40所顶级大学中有3/4在美国。
  • 环境材料信息技术联合会成立 免费阅读 收费下载
  • 环境材料信息技术(EMIT)联合会的宗旨是开发应用软件,用于判断一种材料或工艺在生产过程中对环境的影响。由英国国家物理实验室(NPL)协调的这一为期3年的工程已经创立,创办成员有伊末森电气公司、欧洲直升飞机公司、美国宇航局和罗斯·罗伊斯公司,Granta设计公司为EMIT的首要软件开发商。
  • SEMI年中作出对芯片设备工业的预测 免费阅读 免费下载
  • SEMI预计,2009年,半导体设备销售可达141.4亿美元。该预测表明:这一市场在2008年下降31%的情况下,2009年又下降了50%。2010年可望“回弹”增长47%。2009年半导体制造设备消费经历了15年多来的最低水平,晶片加工设备(占设备中最大部分)2009年为104.2亿美元,下降53%;
  • 光伏生产现状 免费阅读 收费下载
  • 早些年,服务于半导体工业的设备制造商对那时收益不大的光伏工业不感兴趣。1998年,整个太阳电池和组件收益为5.108亿美元,5年后的2003年增长到20亿美元,与半导体工业收益相比依然“弱小”。2004年,光伏工业开始繁荣而值得关注。
  • 一项绿色环保的钴开采工程 免费阅读 免费下载
  • 美国农业部在满足一系列条件下批准了一项新的超金属级钴的开发计划。联合资本公司宣布,萨尔蒙-查理斯国家森林公园督导官已签署了决策纪要,批准了该公司的一项经过修改的爱达荷钻工程,该采矿点位于爱达荷州的萨尔蒙城。
  • VLSI研究公司排出半导体设备供应商前10名 免费阅读 免费下载
  • 2008年光刻设备供应商ASML超过东京电子公司,进入该年度全球半导体设备供应商第二名,仅次于多年位居第一的应用材料公司。VLSI研究公司指出,ASML公司2008年收益下降15%,但仍居第二位,说明光刻设备的重要作用。
  • SEMI发表关于三维集成发展现状的白皮书 免费阅读 收费下载
  • SEMI已发表了题为“三维(3D)集成:工业进展报告”的白皮书,涉及包括TSV(穿Si通孔)技术在内的3DIC集成技术的快速进展。TSV是半导体工业中发展最快的工艺技术之一,并将有助于摩尔定律继续发挥作用,及改进目前的多芯片集成和封装方法。
  • 上海硅酸盐所研制出大容量钠硫储能电池 免费阅读 免费下载
  • 中国科学院上海硅酸盐研究所通过和上海市电力公司多年来持续不断的合作及共同努力,在大容量钠硫储能电池研制方面获得重要突破,成功研制具有自主知识产权的容量为650Ah的钠硫储能单体电池,使我国成为继日本之后世界上第二个掌握大容量钠硫单体电池核心技术的国家。
  • 中铝华中铜业成功研发光伏汇流导线柔性铜带 免费阅读 收费下载
  • 截至2009年12月底,中铝华中铜业公司研发的太阳能光伏汇流导线柔性铜带月产能力已达200余t,成为湖北省此类产品的最大生产厂家。 中铝华中铜业是中国铝业公司同湖北省开展战略合作,投资数十亿元兴建的高新技术企业,主要产品为电力、信息电子类高端铜带。
  • Tesla与松下联合开发新—代锂离子电池技术 免费阅读 免费下载
  • Tesla马达公司与松下公司于2010年1月8日宣布,联合开发新一代电动汽车用锂离子电池技术,Tesla马达公司将使用松下公司的电池,该电池特征是在最新的电池堆中采用镍基锂离子化学。
  • 紫金科技创新体系建设取得重大突破 免费阅读 收费下载
  • 国家科技部正式发文批准立项,在全国第二批建设56个企业国家重点实验室,紫金矿业“低品位难处理黄金资源综合利用国家重点实验室”榜上有名,实现了福建省在企业国家重点实验室方面从无到有的历史性突破,标志着紫金矿业科技创新体系建设跃上了一个新的历史台阶。
  • 科学家利用纳米涂料制成纸质电池 免费阅读 免费下载
  • 斯坦福大学材料科学与工程系的助理教授崔易(音译)表示,将普通的纸张覆上以碳纳米管和银纳米线为原料的涂料可以使之变成导电性良好的储能设备。他说,这些纳米材料具有直径很小的三维结构,这能使纳米材料的敷料更紧密地附着于纤维纸张的表面,使得电池或超级电容更加耐用。
  • 表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆 免费阅读 收费下载
  • 昭和电工宣布,成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC(碳化硅)外延晶圆(Epitaxial Wafer)。该晶圆的平滑性为0.4nm,较原产品的1.0-2.5nm最大提高至近6倍。
  • 反光型太阳能发电装置问世 免费阅读 免费下载
  • 意大利科研人员最近在佛罗伦萨附近的山丘上建成一个名为“旋转镜面集光电站”的太阳能发电装置,其发电功率为200kW,可供60户普通居民使用。 这种太阳能发电设施底部呈半圆形,拥有直径25m的半圆形轨道,装有很多反光镜的小车可在轨道上移动,使镜面在白天总对着阳光。
  • 松下开始量产“18650”尺寸高容量锂离子电池,并准备用于EV 免费阅读 收费下载
  • 松下宣布,开发出了目前用于电脑等的“18650”尺寸锂离子充电电池的高性能产品。已于2009年12月开始量产。 该公司表示,计划今后通过连接多个18650尺寸的电池,使其同样能够用于家用蓄电池及EV(电动汽车)。如果使用此次开发的电池,比如用于EV时,便能以较少的电池数量确保其续航距离。
  • 氮化镓晶体管有望成新“半导体之王” 免费阅读 免费下载
  • 美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望在短期内取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之王”。 作为康奈尔大学工程系教授莱斯特·伊士曼的研究生,石俊夏(音译)等人研发出了基于氮化镓的晶体管设备,即一种新型的电子转换器。
  • 2010年我国将大力发展可再生能源和核能 免费阅读 收费下载
  • 国家能源局局长张国宝在全国能源工作会议上说,2010年我国将大力发展可再生能源和核能,争取非化石能源占一次能源消费比重比上年提高0.5个百分点左右。 近年来,我国新开工建设核电站8个,核准规模3140万kW,在建核电规模2067万kW,占世界在建核电机组的30%以上,成为世界在建核电规模最大的国家。
  • 薄膜太阳能电池项目试产 初期转换率达8.5% 免费阅读 免费下载
  • 全球首个双线双结大面积硅基高效薄膜太阳能电池项目在南昌竣工试产。江西赛维百世德太阳能高科技有限公司的这一项目,初期达到8.5%的稳定转换率,远高于目前非晶硅单结技术6%的转换率,并且随后将不断提高至12%。
  • 世界首条大功率太阳能LED路灯系统投入使用 免费阅读 免费下载
  • 世界首条大规模、大功率跟踪式太阳能LED路灯系统,在重庆市大足县迎宾大道正式启用,全长约4.3km。这标志着重庆太阳能工程建设正式启动,对推动我国太阳能发电市场化、社会和企业节能减排等,具有重要引导和示范意义。
  • 以色列开发出高效智能太阳能电池板 免费阅读 免费下载
  • 以色列前沿太阳能公司于2009年10月宣布,开发出一种智能太阳能电池板,不仅可比传统太阳能电池板多提供25%的能量,还可有效解决现有太阳能系统面临的监控与安全方面的困扰。
  • 我国稀土功能材料产业发展态势 免费阅读 收费下载
  • 2008年以来,我国稀土功能材料产业出现如下发展态势:一、产品结构:趋向高端应用 烧结钕铁硼磁体:高端应用领域有MRI、VCM、CD拾音器、CD存储器和手机等,高端用量占总用量之比从1997年的6%增长到2006年的47.1%,2008年为52%。
  • 2013年全球太阳能电池设置量将为08年的4倍,日美积极出台新政策 免费阅读 免费下载
  • 太阳能电池市场目前正在快速恢复。2008年秋季发生雷曼危机的同时,西班牙政府大幅下调太阳能电池入网电价(Feed-in Tariff)的装机容量,此后全球最大的西班牙市场开始缩小规模,全球太阳能电池需求迅速下滑,但目前在日本和欧洲已出现了需求复苏的征兆。从2009年下半年开始全球市场再次扩大。
  • 预测2010年科技发展趋势 免费阅读 收费下载
  • 美国《大众机械》网站刊登文章,对2010年的科技发展趋势进行了预测,DNA折纸术、骨整合技术等创意将占据明年报纸的头条,消费者或许明年可以买到能变形的显示器,配备了“超级电容”的电动汽车也可能会奔驰在城市的大街小巷。
  • 2010年2月都分有色金属价格 免费阅读 免费下载
  • [专题述评]
    中国报废汽车的回收
    [新型材料]
    用于热管理的金刚石-铝复合材料
    用于电池阴极的Li—Mn氧化物
    [材料应用]
    IBM联盟已准备好28nm监测工具
    无铅合金替代品的管理方法
    石墨烯将代替Cu用于IC互连
    自组装铂有可能成为更好的催化剂
    [工艺技术]
    英特尔公司关于EUV的最新报告
    Oerlikon Solar公司探讨达到0.7美元/W薄膜光伏电池板的路径
    应用材料公司的22nm Cu阻挡层/籽晶层PVD技术
    用于32nm的钨CVD加工
    IMEC发布到10nm的内连计划
    MIT用“干涉”光刻步骤制成36nm线
    200mmSi片中因机械负载引起的塑性形变
    储氢材料镁的进展
    核燃料回收新技术
    [市场动态]
    材料成本决定c—Si电池与a—Si电池的市场份额
    增加生产投资的信号
    美国科技依然领先
    环境材料信息技术联合会成立
    SEMI年中作出对芯片设备工业的预测
    光伏生产现状
    一项绿色环保的钴开采工程
    VLSI研究公司排出半导体设备供应商前10名
    SEMI发表关于三维集成发展现状的白皮书
    [科技信息]
    上海硅酸盐所研制出大容量钠硫储能电池
    中铝华中铜业成功研发光伏汇流导线柔性铜带
    Tesla与松下联合开发新—代锂离子电池技术
    紫金科技创新体系建设取得重大突破
    科学家利用纳米涂料制成纸质电池
    表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
    反光型太阳能发电装置问世
    松下开始量产“18650”尺寸高容量锂离子电池,并准备用于EV
    氮化镓晶体管有望成新“半导体之王”
    2010年我国将大力发展可再生能源和核能
    薄膜太阳能电池项目试产 初期转换率达8.5%
    世界首条大功率太阳能LED路灯系统投入使用
    以色列开发出高效智能太阳能电池板
    我国稀土功能材料产业发展态势
    [市场评析]
    2013年全球太阳能电池设置量将为08年的4倍,日美积极出台新政策
    预测2010年科技发展趋势

    2010年2月都分有色金属价格
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