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文献检索:
  • 十亿晶体管级芯片系统集成面临的挑战与机遇 收费下载
  • 概述了半导体工业的发展趋势,讨论了10亿晶体管级芯片系统所面临的挑战,并提出了若干研究课题以获得即将来临的纳米时代的发展机遇。
  • 通信用线性功率放大器的进展 收费下载
  • 综述了线性功率放大器的发展与现状,并分别介绍了当前已在应用的预失真法、前馈法和组合模块法线性功放的原理及电路。
  • 21世纪的电信发展对集成电路技术的要求 收费下载
  • 从21世纪电信技术发展的角度,站在整机业的立场探讨对集成电路技术的要求,特别是对集成电路设计技术的要求。
  • 半导体材料的发展及现状 收费下载
  • 介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用;对其中一些材料进行了分析比较;描述了半导体新型材料的发展前景。
  • 全球化是集成电路卡发展的主要趋势 收费下载
  • 介绍了多种集成电路卡的应用及发展。
  • 单片机开发系统综述 收费下载
  • 简单介绍了单片机开发系统的概念、功能及分类;然后具体介绍单片机开发系统的构成,包括开发工具和开发过程以及单片机开发系统的选择。
  • 电力半导体模块及其工艺技术 收费下载
  • 回顾了电力半导体模块发展里程,指出了电力半导体模块今后发展的方向,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了IGBT模块的结构和工艺技术,提出了设计IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。
  • 二次离子质谱技术在砷化镓工艺中的应用 收费下载
  • 砷化镓工艺过程中出现的问题往往与杂质的分布有关,二次离子质谱技术是研究各种成分的三维分布的主要测试方法之一,由于其自身的特点使其成为分析器件失效原因的最有效的检测手段。利用SIMS技术对砷化镓材料、离子注入、外延生长、光刻、欧姆接触形成、肖特基势垒形成及钝化等工艺中出现的典型问题进行了研究分析,找出了失效原因,为改进工艺提供了依据。
  • 大面积科学CCD摄象器的设计技术 收费下载
  • 描述了大面积科学CCD摄象器设计的两项关键技术:亚电子噪声技术和CCD钉扎技术。
  • 小型化QPSK调制放大模块 收费下载
  • 介绍一种S波段QPSK调制放大模块。该部件采用了新的装配工艺,体积小,可靠性高,适用于卫星通信。另外,该模块在射频直接调相的基础上加入了放大单元,实现了信号调制后无损耗。为优化系统构成创造了条件。
  • 用可编程逻辑器件EPM7128SLC84实现细分电路 收费下载
  • 用可编程逻辑器件EPM7128SLC84实现细分电路,并说明了用EDA把可编程逻辑器件设计为专用集成电路的具体方法。
  • 不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究 收费下载
  • 分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘GaAs衬底上制备MESFET,对三种工艺制备的MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明,器件工艺对MESFET阈值电压有一定的影响,开展GaAs MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺,以尽可能减少工艺引起的偏差。
  • 晶体管的温度特性以及使用中应注意的问题 收费下载
  • 叙述了晶体管的负温度特性以及在晶体管的制造过程中如何改进晶体管的温度特性。
  • 圆柱突变结击穿电压及电场沿结边的分布 收费下载
  • 基于横向侧扩散与纵向体扩散结深构成椭圆形冶金结外形这一与工艺实际相符合的假设,通过圆柱对称解的归一化,提出了平面结击穿电场沿结边分布的解析解。理论结果阐述了不同结深及结边形状对边缘区击穿电压的影响规律,说明了表面南击穿电压总是小于体内击穿电压的原因。
  • GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究 收费下载
  • 旁栅效应是影响GaAs器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈植电压V^thsSG与旁栅距LSG的关系,发现V^thSG的大小与LSG成正比关系,并理论探讨了产生这一现象的机制,从而验证了旁栅阈值电压电旁栅距关系的有关理论。
  • 车身电子系统:摩托罗拉半导体解决方案 收费下载
  • 《半导体情报》封面

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