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文献检索:
  • 基于SJA1000的CAN通信节点设计 免费阅读 下载全文
  • CAN控制器SJA1000为核心的CAN通信系统,由一台主控计算机和多台从控设备组成,采用并行总线接口与控制器(MUC)连接,软件设计采用定时方式发送报文、中断方式接收报文,检测故障并进行处理。该CAN通信节点系统结构简单,在实际应用中具有较高的实时性和可靠性。
  • 频带可变开关电容滤波器设计 免费阅读 下载全文
  • 针对一般有源滤波器截止频率不易改变的特点,提出一款基于LTC168的多功能程控滤波器设计方法。该方法利用单片机控制输出到LTC1068的时钟频率,方便地实现了滤波器中心频率和截止频率的改变。实测结果表明,多功能程控滤波器的各项指标均达到了设计的要求。
  • 美高森美推出同级最佳低电压瞬态电压抑制二极管 免费阅读 下载全文
  • 美高森美公司发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年传统优势和独特的射频PIN二极管专门技术,以保护高速数据线路和其他应用,这些应用的电容量严苛要求,大大超过用于以太网速率不高于500Mbit/s的数据接口的其它典型低电容TVS器件。
  • 高速PCB板基本布线设计 免费阅读 下载全文
  • 针对高速PCB板在布局、布线中容易发生问题,在旁路电容布局及布线、线间距、分支走线、拐角规则等方面给出了设计优化方案,提高了产品性能和可靠性。
  • 一种隔离DC/DC电源反馈网络设计与分析 免费阅读 下载全文
  • 隔离DC/DC功率电源反馈网络设计技术是DC/DC电源设计的一项重要技术。通过设计实例对电压基准源构成的反馈网络及参数进行计算分析,总结出了以电压基准源为核心隔离反馈网络的设计、计算方法和调试方法。
  • ST推出世界首款1500V超高功率MOSFET 免费阅读 下载全文
  • 意法半导体的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTMK5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源击穿电压的晶体管,并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。ST推出世界首款1500V超结功率MOSFET,实现更环保、更安全的电源应用。新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。
  • I/F转换电路线性度影响因素分析 免费阅读 下载全文
  • 针对I/F转换电路非线性误差影响因素,在电路设计过程中通过改进基准恒流源的设计和温度漂移的补偿,有效提高了电路的线性度。在频率为频标信号下,对所设计的产品在-45℃-60℃环境下进行了测试,非线性度均小于0.02%。零偏均小于2Hz。
  • 基于SIFT算法的目标识别研究 免费阅读 下载全文
  • 尺度不变特征变换(SIFT)算法是目标识别技术中效率较高的一种算法。通过对获取目标特质(不同类型、同类型)与获取图像特质(尺寸、旋转、噪声)两方面进行图像目标识别研究。验证了不同条件下SIFT算法进行目标识别的精确性与稳定性。结果表明,多种类目标与同种类目标识别匹配率均高于90%,具有高的精确性与稳定性。
  • BGA器件回流焊接工艺研究 免费阅读 下载全文
  • 随着模块电子系统轻量化、小型化以及高性能的发展趋势,BGA器件的应用越来越广泛。通过对BGA器件焊接特性、焊接实时温度曲线的测试方法、BGA器件回流焊温度曲线分析,结合回流焊接设备、材料及工艺条件,开展BGA器件回流焊接试验,并对试验结果进行焊接分析,得出合理的回流焊接温度曲线,实现Sn62Pb36Ag2焊料对无铅BGA器件的可靠焊接。
  • 一种改善双极集成电路放大系数的工艺技术 免费阅读 下载全文
  • 为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点,对此类电路的工艺现状进行分析并对工艺途径进行优化改善,在淀积氮化硅工艺前增加预刻孔工艺,释放氮化硅介质薄膜应力,使其与双极电路的特性相匹配,有效预防PNP管放大系数的衰减,提高了PNP管放大系数的稳定性。
  • 黑硅及其研究现状综述 免费阅读 下载全文
  • 黑硅作为一种能够大幅提高光电转换效率的新型材料,具有独特的光电特性。国内外研究机构和学者围绕黑硅材料开展了大量的研究工作,在材料结构、形成机理和制备工艺等方面取得了显著成果,并在黑硅的应用方面进行了探索。基于黑硅优异的光电特性,其未来具有巨大的潜在应用价值,但在材料均匀性、工艺重复性等方面仍有大量技术问题需要解决。
  • AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管 免费阅读 下载全文
  • AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶体管针对20V至100V范围内的各种漏源电压进行了优化,显著降低了导通电阻。
  • 志愿者在行动 免费阅读 下载全文
  • [电路设计及应用]
    基于SJA1000的CAN通信节点设计(仇晨光;李坤;郁兆华;傅旭东)
    频带可变开关电容滤波器设计(曹彪;梁伟明)
    [知识信息窗]
    美高森美推出同级最佳低电压瞬态电压抑制二极管
    [电路设计及应用]
    高速PCB板基本布线设计(张勇;徐姗姗;金肖依)
    一种隔离DC/DC电源反馈网络设计与分析(桑泉;杨翠侠;赵路旭)
    [知识信息窗]
    ST推出世界首款1500V超高功率MOSFET
    [电路设计及应用]
    I/F转换电路线性度影响因素分析(朱震星;李建和)
    基于SIFT算法的目标识别研究(陈剑;白小丽;王镇;赵忠惠;汪健)
    [工艺研究及制作]
    BGA器件回流焊接工艺研究(凌尧;邹建安;张栋;李平华;周峻霖)
    一种改善双极集成电路放大系数的工艺技术(简崇玺;姜楠;周福虎;高博)
    [综述]
    黑硅及其研究现状综述(陈远金;张猛蛟;戴放;陈建国)
    [知识信息窗]
    AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
    志愿者在行动
    《集成电路通讯》封面
      2010年
    • 01

    主办单位:中国兵器工业第214研究所

    主  编:高惠潮

    地  址:安徽省蚌埠市06信箱

    邮政编码:233042

    电  话:0552-3124957

    单  价:3.00

    定  价:12.00


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