设为首页 | 登录 | 免费注册 | 加入收藏
文献检索:
  • 中国大陆二线晶圆厂逆势建厂
  • 中国嵌入式微处理器年产值近2500亿
  • 黑硅:潜力无穷的新材料 专家相信它相当于60年前的半导体
  • 美国国家半导体推出业界首套用于开发传感器的在线设计工具
  • 宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破
  • 河南首条晶圆生产线投产
  • 罗姆公司接近制造绿光激光二极管的目标
  • 安森美半导体推出新的浪涌保护器件
  • TSMC和MAPPER合作开发22nm技术
  • 纽约州立大学提高GaSb基激光二极管发射波长
  • 住友金属提高SiC生长速度和质量
  • 半导体市场将于2009年第三季度反弹
  • 最亮发光二极管问世
  • IMEC公司建设450mm晶圆生产线
  • NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
  • 大阪大学等控制半导体纳米粒子直径成功发出多种颜色的荧光
  • Lightwire发布新的硅光晶体
  • 英破解塑料激光二极管制造难题
  • 2008年十大中国芯闪亮登场
  • 日开发出波长极短的半导体激光
  • Qualcomm和IMEC协作研究三维集成技术
  • 应用材料:半导体2009年难复苏 太阳能电池市场具潜力
  • 安森美半导体推出RGB LED像素驱动器
  • CMOS功放成为手机射频新宠
  • 2009年半导体产业将动荡不安
  • NXP宣布出售其200mm半导体工厂
  • 2009年将实现增长的五个市场
  • 手机将成MEMS主要应用市场
  • 英飞凌推出首款可支持便携式和移动电视系统的1.8V宽带低噪放大器
  • 赛维LDK投资2.81亿美元扩产
  • 松下电工研发纳米硅电子源发光器件
  • 制成多尺寸量子点太阳能电池
  • 熔融钠扩大了GaN晶体
  • 天津铜铟镓硒太阳能电池组件制成
  • 中芯国际涉足MEMS代工领域
  • 多光谱成像用GaN基光电探测器进展顺利
  • TriQuint研制高集成度GPS前端模块
  • 光增益最大的光电二极管
  • NAND Flash市场收入将进一步下滑
  • 索尼研发出新型半导体
  • 洛阳年产一万吨多晶硅项目开工
  • 发改委称国家将在甘肃建首个大型沙漠光伏电站
  • 罗德与施瓦茨公司推出新型毫米波变频器
  • 松下电器开发高增益、低噪声GaN集成电路
  • InvenSense成功研发世界上最小的双轴陀螺仪
  • GaN基HEMT与整流管一体化制造GaN功率电子IC
  • 英特尔在华开展三项新投资
  • 神舟硅业3000吨多晶硅项目启动
  • 青海年产千吨级多晶硅项目投产
  • 创立达科技推出新一代微触发单向可控硅
  • IMEC在8英寸硅片上制备无裂缝GaN
  • 夏普公布可削减制造成本50%的晶圆制造方法
  • 赛普拉斯推出混合信号数据记录新器件
  • 混合生长法提高栅氧化物质量
  • Vishay推出整合功率光敏可控硅新产品
  • 国内市场支撑中国半导体的增长
  • 富In InGaN量子点提高白光LED亮度
  • 意法半导体制作基于MEMS的新型三维方位传感器
  • 中国国际电子封装和组装技术大会
  • 强劲的需求激励GaN代工厂家
  • 接近人眼功能的新型CCD器件
  • 台湾当局拨款60亿美元援助DRAM厂商
  • 意法半导体推出新型“陀螺仪”角速度传感器
  • 长电科技整体U盘上市
  • 科胜讯推出首款“片上扬声器”半导体解决方案
  • 圆盘激光器新记录
  • 2008年世界最大20家半导体公司
  • 美开发成功可卷曲太阳能电池
  • 1500吨高纯多晶硅项目投产
  • 中国大陆二线晶圆厂逆势建厂
    中国嵌入式微处理器年产值近2500亿
    黑硅:潜力无穷的新材料 专家相信它相当于60年前的半导体
    美国国家半导体推出业界首套用于开发传感器的在线设计工具
    宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破
    河南首条晶圆生产线投产
    罗姆公司接近制造绿光激光二极管的目标
    安森美半导体推出新的浪涌保护器件
    TSMC和MAPPER合作开发22nm技术
    纽约州立大学提高GaSb基激光二极管发射波长
    住友金属提高SiC生长速度和质量
    半导体市场将于2009年第三季度反弹
    最亮发光二极管问世
    IMEC公司建设450mm晶圆生产线
    NEC电子推出新型P沟道功率MOSFET产品
    大阪大学等控制半导体纳米粒子直径成功发出多种颜色的荧光
    Lightwire发布新的硅光晶体
    英破解塑料激光二极管制造难题
    2008年十大中国芯闪亮登场
    日开发出波长极短的半导体激光
    Qualcomm和IMEC协作研究三维集成技术
    应用材料:半导体2009年难复苏 太阳能电池市场具潜力
    安森美半导体推出RGB LED像素驱动器
    CMOS功放成为手机射频新宠
    2009年半导体产业将动荡不安
    NXP宣布出售其200mm半导体工厂
    2009年将实现增长的五个市场
    手机将成MEMS主要应用市场
    英飞凌推出首款可支持便携式和移动电视系统的1.8V宽带低噪放大器
    赛维LDK投资2.81亿美元扩产
    松下电工研发纳米硅电子源发光器件
    制成多尺寸量子点太阳能电池
    熔融钠扩大了GaN晶体
    天津铜铟镓硒太阳能电池组件制成
    中芯国际涉足MEMS代工领域
    多光谱成像用GaN基光电探测器进展顺利
    TriQuint研制高集成度GPS前端模块
    光增益最大的光电二极管
    NAND Flash市场收入将进一步下滑
    索尼研发出新型半导体
    洛阳年产一万吨多晶硅项目开工
    发改委称国家将在甘肃建首个大型沙漠光伏电站
    罗德与施瓦茨公司推出新型毫米波变频器
    松下电器开发高增益、低噪声GaN集成电路
    InvenSense成功研发世界上最小的双轴陀螺仪
    GaN基HEMT与整流管一体化制造GaN功率电子IC
    英特尔在华开展三项新投资
    神舟硅业3000吨多晶硅项目启动
    青海年产千吨级多晶硅项目投产
    创立达科技推出新一代微触发单向可控硅
    IMEC在8英寸硅片上制备无裂缝GaN
    夏普公布可削减制造成本50%的晶圆制造方法
    赛普拉斯推出混合信号数据记录新器件
    混合生长法提高栅氧化物质量
    Vishay推出整合功率光敏可控硅新产品
    国内市场支撑中国半导体的增长
    富In InGaN量子点提高白光LED亮度
    意法半导体制作基于MEMS的新型三维方位传感器
    中国国际电子封装和组装技术大会
    强劲的需求激励GaN代工厂家
    接近人眼功能的新型CCD器件
    台湾当局拨款60亿美元援助DRAM厂商
    意法半导体推出新型“陀螺仪”角速度传感器
    长电科技整体U盘上市
    科胜讯推出首款“片上扬声器”半导体解决方案
    圆盘激光器新记录
    2008年世界最大20家半导体公司
    美开发成功可卷曲太阳能电池
    1500吨高纯多晶硅项目投产
    《半导体信息》封面
      2000年
    • 02

    主办单位:中国半导体行业协会分立器件专业协会 信息产业部电子第五十五研究所

    地  址:南京1601信箱43分箱

    邮政编码:210016


    关于我们 | 网站声明 | 合作伙伴 | 联系方式
    金月芽期刊网 2016 电脑版 京ICP备13008804号-2