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文献检索:
  • La掺杂ZnS的电子结构与稳定性的研究 免费阅读 收费下载
  • 采用第一性原理赝势平面波方法研究了La掺杂ZnS体系的电子结构与稳定性。通过对掺杂前后各模型的形成热、结合能、能带结构、态密度、Mulliken电荷和键重叠聚居数的计算与分析,结果表明:La置换ZnS中的Zn是许可的,且能够稳定存在;La原子较zn原子具有较强的失电子能力,La原子的掺入,对ZnS体系具有共价键与离子键的共同作用;导致体系能带结构发生明显变化,禁带宽度变小,系统发生Mott转变,从半导体变为金属;原子半径较大的La原子致使其周围的电子分布表现出一定的各向异性。
  • 用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制 免费阅读 收费下载
  • 表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压¨大于谷值电压Vv的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻凡构成的锁定单元,但未阐明负载电阻产生的物理过程。对表观正阻现象产生的物理机制进行了更进一步的研究,发现了RTD串联电阻增大时形成RL/RTD锁定单元的物理过程,为建立APR的物理模型奠定了基础。
  • 石墨烯纳米条带的电子输运性质研究 免费阅读 收费下载
  • 采用紧束缚近似模型,运用Green函数和Landauer—Biittiker公式计算了并联型Armchair型边界的石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着并联纳米条带数量的增加,石墨烯纳米条带电导峰(电导谷)将有相应数量的增加;条带之间的间距增宽,中心区电导谷的宽度将减小。通过数值计算,揭示该新型石墨烯结构电子输运的物理机制,为基于石墨烯的新型器件的设计和优化提供理论指导,并对石墨烯纳米条带在未来集成电路设计中的应用提供理论参考。
  • GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响 免费阅读 收费下载
  • 采用反应溅射法制备以GdO。或Gd0N为存储层的MONOS(Metal—Oxide—Nitride—Oxide—Si)电容存储器,研究了GdO。中氧含量以及掺氮对MONOS存储器存储特性的影响。实验结果表明,含氧气氛中制备的GdO其氧空位(电荷陷阱)较少,且界面处存在较多Gd—Si键,导致界面态密度增加,因而存储特性欠佳;引入氮至GdO中可诱导出大量的深能级电子陷阱,并能提高介电常数、减少界面缺陷,因此GdON样品表现出好的存储特性:较大的存储窗口(±13v/1s的编程/擦除电压下,存储窗口4.1V)、高的工作速度、好的保持特性以及优良的疲劳特性(105循环编程/擦除后,存储窗口几乎不变)。
  • 倾斜边缘纳磁体对磁性量子元胞自动机互连线信号传递的影响 免费阅读 收费下载
  • 纳磁体倾斜边缘是磁性量子元胞自动机(Magneticquantumcellularautomata,MQCA)制备过程中常见的缺陷。研究倾斜边缘纳磁体的位置、缺失程度、形状等对互连线的影响,并分析了纳磁体间距和厚度对倾斜边缘MQCA互连线信号传递的影响。仿真结果得出,倾斜边缘对互连线的信号传递产生三种影响:正常、反向和中断。倾斜边缘的缺失尺寸越大,互连线的信号传递受到的影响越大;难磁化轴方向边缘完全缺失的情况下,较小的垂直缺失尺寸即可对互连线信号传递造成较大影响;较薄的厚度和较小的间距更有利于包含倾斜边缘纳磁纳磁体的互连线信号的正常传递。这些结论对于MQCA电路的制备、缺陷分析以及倾斜边缘纳磁体的特殊应用具有重要意义。
  • 自对准栅金刚石MESFET器件研究 免费阅读 收费下载
  • 基于表面氢化处理的金刚石材料,利用自对准栅工艺技术研制了P型金刚石肖特基栅场效应晶体管(MEsFET)。利用AFM和Raman测试方法对材料的特性进行了测试及分析。同时,对研制的金刚石MESFET器件进行了TLM以及直流特性测试及性能分析。利用TLM方法测试获得的表面氢化处理金刚石材料的方阻和Au欧姆接触比接触电阻率分别为4kΩ/口和5.24×10-4Ω·cm。。研制的1μm栅长金刚石MESFET器件的最大电流在-5V偏压下达到10mA/mm以上。
  • 一种结构新颖的锗硅NPNHBT器件特性研究 免费阅读 收费下载
  • 对一种结构新颖的锗硅NPNHBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。
  • GaAsPIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 免费阅读 收费下载
  • 采用76.2mm(3英寸)GaAsPIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHzT作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5dB大于5W。
  • 一种二极管桥式跟踪保持电路设计 免费阅读 收费下载
  • 设计了一种基于二极管桥的两级全差分跟踪保持电路,两级模块由独立的时钟控制,可以各自工作在跟踪模式。芯片采用1μmGaAsHBT工艺实现,芯片大小为1.8mm×2mm,功耗2.75W。经测试,电路可以工作在lGS/s采样速率下,单端输入峰峰值250mV信号时采样带宽超过7GHz;单端输入峰峰值250mV,DC-2GHz信号时,电路具有8bit有效位。
  • 改进型宽带Doherty功率放大器的设计 免费阅读 收费下载
  • 根据Doherty技术,设计了一款改进型宽频带功率放大器。在设计过程中,分析了λ/4线对Doherty功率放大器(DPA)的影响。通过对阻抗比的研究,在理论上延拓了功放的带宽。此外,应用不对称功率输入结构来克服阻抗比变化所带来的非理想调制效应。为了证明文中的理论分析,采用飞思卡尔公司的LDMOSFET功放管MRF6S20010,最终设计实现了一款工作于1900~2200MHz的宽频带Doherty功率放大器。测试结果显示,改进型宽带功放相对于传统Doherty功率放大器有很大的优势,可用于无线通信领域。
  • 基于LTCC技术的手机天线开关滤波器 免费阅读 收费下载
  • 采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSMI800/1900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSMI800/1900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。
  • Ka波段大型单脉冲平板缝隙天线的分析与设计 免费阅读 收费下载
  • 论文所分析的Ka波段平板缝隙阵列天线具有阵面尺寸大(534.89mm×494.3ram)、缝隙多(5120)的特点,因而对于阵面的设计运用优化总体设计,并运用等效电路法结合电磁仿真软件HFSS得到精确的辐射缝以及耦合缝参数。同时为了减小加工难度,对天线分象限分层分象限进行加工。经过实测验证,测试结果与理论吻合良好,在±300MHz频带范围内驻波小于2,整个阵面的增益均大于42dB,天线的方位副瓣电平达到-22.8dB,俯仰副瓣电平达到-23.8dB,零值深度在俯仰和方位均达到-30dB。
  • ETC.RSU收发前端模块设计 免费阅读 收费下载
  • 设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高。该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的ASK信号调制度30%~100%连续可调,接收动态范围-5~-85dBm,发射功率-4.5~27dBm,步进0.5dB可调,发射频率5700~5900MHz,步进1MHz可调。
  • 4°偏轴SiC衬底外延工艺研究 免费阅读 收费下载
  • 4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiCSBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600~1700VSBD器件的研制。
  • Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究 免费阅读 收费下载
  • 研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/AI(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550℃时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0·76Ω·mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaNHEMT的工艺。
  • IGBT多级场板终端结构的仿真和验证 免费阅读 收费下载
  • 基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P—Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1200VNPTPlanerIGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1300V以上。
  • 汽车电子MCU中的16通道10bit1MHz逐次逼近模数转换器设计 免费阅读 收费下载
  • 逐次逼近模数转换器(SARADC)具有中等转换精度和速度,在精度、速度、功耗以及成本方面具有综合优势,且易于实现多路控制,广泛应用于工业控制、医疗仪器以及微控制器(MCU)等领域中。采用GSMC 0.18μm1P6MCMOS混合信号工艺,设计了一款用于汽车电子MCU的16通道10bit1MHz逐次逼近模数转换器。测试结果表明,在电源电压1.8V,输入信号51kHz和1MHz时钟频率下,无杂散动态范围(SFDR)71.364dB,有效位数(ENOB)达到9.49bit,整体功耗2.24mW,满足汽车电子MCU的应用需求。
  • 可实现DVS的单电感双输出降压型直流-直流转换器 免费阅读 收费下载
  • 设计了一款单电感双输出(SIDO)的降压型直流一直流转换器,一个输出电压可以进行动态电压转换,在0.725~1.2V直接变化,另一输出电压可实现1.2V和1.8V,两路输出最大可实现500mA负载电流。转换器根据负载的不同在脉冲宽度调制(PWM)和脉冲频率调制(PFM)之间自动切换。采用死区时间自适应调整的技术来提高系统的转换效率,分段开关则用来降低输出端毛刺。基于TSMC0.25μmCMOS工艺,测试结果证明该系统输出电压纹波低、毛刺小,系统峰值效率可达90%。
  • 一种1.2V,80mA,5μF快速瞬态响应、高稳定性LDO的设计 免费阅读 收费下载
  • 基于上华0.5μm工艺,设计了输入电压为1.5V,输出电压为1.2V,最大输出电流为80mA,用于DC/DC里的CMOS低压差线性稳压器(Low—dropoutregulator),作为带隙基准输出端的后续模块,以达到滤波和提高参考电压精度的目的。提出了一种补偿网络,可以保证负载电流发生变化时,相位裕量不发生变化;在补偿网络的基础上添加一个感应电容能够快速跟踪极点的变化,从而保证在负载电流跳变瞬间稳定性保持不变,防止了输出电压发生振荡的情形。此外,设计了一种瞬态响应提高电路结构来改善负载瞬态响应。仿真结果表明,在ttcorner下该LDO线性稳压器在负载电流为1mA和80mA时的相位裕度均为83°,环路增益为80dB,流片测试结果显示过冲电压和欠冲电压均不超过100mV。
  • SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析 免费阅读 收费下载
  • 静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术,在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘体上硅专用集成电路在老炼和热冲击实验后出现的静态电流测试失效现象,结合样品伏安特性、光发射显微镜和扫描电子显微镜等电学和物理失效分析手段,确定了栅氧化层中物理缺陷的存在、位置及类型;结合栅氧化层经时介质击穿原理分析,揭示了样品的主要失效机理,并分析了经时介质击穿失效的根源,为改进工艺、提高电路可靠性提供了依据。
  • 征稿启事 免费阅读 免费下载
  • 《固体电子学研究与进展》是全国性学术期刊,向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性研究。征稿主要范围是:无机和有机固体物理,硅微电子学,射频器件和微波集成电路,微机电系统(MEMS),纳米技术,固体光电和电光转换器件,有机发光器件(OLED)和有机微电子技术,宽禁带半导体以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和论文,来稿采用A4幅面,5号字体,控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性和指导意义,并给出作者的联系信息(邮寄地址、电话)。
  • 移动通信用射频多芯片模块 免费阅读 免费下载
  • I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块,模块总尺寸为5mm×5mm×lmm,其内部结构见图l。从技术角度来看,该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先,它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内,减小了产品尺寸,降低了成本。其次,采用MCM封装,通过合理布线,有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。
  • [器件物理与器件模拟]
    La掺杂ZnS的电子结构与稳定性的研究(谢海情[1] 唐立军[1] 曾云[2] 文勇军[1] 彭平[2])
    用电阻补偿效应分析RTD表观正阻产生的物理机制(郭维廉 张世林 王伊钿 毛陆虹 谢生)
    石墨烯纳米条带的电子输运性质研究(闫帅军 肖广然 陈将伟 蔡宇凯 王伟)
    GdO存储层中氧含量及掺氮对MONOS存储器特性的影响(李育强 刘璐 朱剑云 徐静平)
    倾斜边缘纳磁体对磁性量子元胞自动机互连线信号传递的影响(李政操 蔡理 杨晓阔 庞天亮 刘保军 张明亮 陈祥叶)
    [射频与微波]
    自对准栅金刚石MESFET器件研究(周建军 柏松 陈刚 孔岑 耿习娇 陆海燕 孔月婵 陈堂胜)
    一种结构新颖的锗硅NPNHBT器件特性研究(刘冬华 段文婷 石晶 胡君 陈帆 黄景峰 钱文生 削胜安 朱东园)
    GaAsPIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片(蒋东铭[1,2] 陈新宇[1,2] 杨立杰[2] 黄子乾[2])
    一种二极管桥式跟踪保持电路设计(曲俊达[1] 张有涛[1,2,3] 钱峰[1])
    改进型宽带Doherty功率放大器的设计(张晗 王滨)
    基于LTCC技术的手机天线开关滤波器(朱彦青[1] 许正荣[1,2] 戴雷[1] 陈新宇[1,2])
    Ka波段大型单脉冲平板缝隙天线的分析与设计(王文秀 王建 彭中卫)
    ETC.RSU收发前端模块设计(许庆 曾瑞锋 苗一新 黄贞松)
    [材料与工艺]
    4°偏轴SiC衬底外延工艺研究(李赟 尹志军 朱志明 赵志飞 陆东赛)
    Si基GaNHEMT低温欧姆接触工艺研究(王金 孔岑 周建军 倪金玉 陈堂胜 刘涛)
    [硅微电子学]
    IGBT多级场板终端结构的仿真和验证(高明超 刘钺杨 刘江 赵哿 金锐 于坤山)
    汽车电子MCU中的16通道10bit1MHz逐次逼近模数转换器设计(陈铖颖[1] 黑勇[1] 戴澜[2] 胡晓宇[1])
    可实现DVS的单电感双输出降压型直流-直流转换器(管璐璐 许伟伟 李叶 洪志良)
    一种1.2V,80mA,5μF快速瞬态响应、高稳定性LDO的设计(杨洁 曾云 杨艳军)
    SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析(刘迪[1] 陆坚[1,2] 梁海莲[1] 顾晓峰[1])

    征稿启事
    移动通信用射频多芯片模块(许正荣 郑远 张有涛 艾萱 陈新宇 杨磊)
    《固体电子学研究与进展》封面

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