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文献检索:
  • 具有n缓冲层和新的阳极短路结构的6000V GTO 收费下载
  • 研制出用于大功率逆变器和斩波器的6000V GTO,为了获得高的阻断电压,且同时具有低的开通和关断损耗,采用了n缓冲层和圆柱型阳极短路结构相结合的方法。通过n缓冲层结构所实现的550umn基区宽度可使开通损耗比普通阳极短路结构的减少约1/3,所提出的这种结构可有效地扫除关断瞬间剩余载流子,而不使通态电压增加太多,直径33mm的器件可以在90Hz工作上连续开关200A阳极平均电流,提出了P基区和n缓冲层同步扩散工艺,并用该工艺制作出新开发的器件结构。
  • 界面层对台面型高压电力器件的影响 收费下载
  • 本文研究了硅基片和半绝缘多晶硅薄膜(SIPOS)之间槽型氮化层厚度与台面型高压电力二极管击穿电压的关系,通过沉积外加介质层,进一步改进了击穿电压,所测得的击穿电压值可能与SIPOS-槽型氧化层一氧化硅界面处的固定电荷有效密度有关。后者可以用高频电容-电压技术来测定。
  • IGBT器件在逆变器电路中应用时的保护技术 收费下载
  • 具有高转折功率耐量的过压自保护晶闸管 收费下载
  • 研究了过压自保护晶闸管的高转折功率耐量结构,在器件的引发晶闸管和辅助晶闸管间建立一高阻区。了该内建电阻变化时的转折开通波形,采用模型分析了器件内的功率损耗比,表明该内建电阻使转折功率分散,并减少耗散功率密度,该内建电阻的作用是提高转折功率耐量,转折电压为5.5kV的晶闸管的转折功率耐量大于250kW。该电阻区也起镇流电阻器的使用,使电流扩展均匀。
  • 脱线用途半桥式ZCS—QRC和ZVS—MRC的比较 收费下载
  • 本文从效率,输入电压范围,半导体应力,功率密度和可靠性几个方面对半桥(HB)零电流开关(ZCS)准谐振(QR)和零电压开关(ZVS)多谐振(MR)变流器的性能做了比较,表明在给定标准输入下HB ZVS-MR交流器的效率在很大程度上依赖于输入电压的范围,并且当变流器必须工作于宽范围时,其效率会受到影响,然而对HB ZCS-QR变流器却不是这种情况,为了便于比较,设计出了在相同的制约条件下各自输入电压范围不同的实验用HB ZCS-QR变流器和HB ZVS-MR变流器。
  • 分立MOS—双极达林顿功率开关设计中的一些问题 收费下载
  • 作为大功率开关用途,通常采用分立达林顿结构,在这种结构中,通过电流较小的功率MOSFET驱动主双极功率晶体管,这种结构兼有两种开关的优点,并产生一种大功率高频开关,降低了对驱动的要求,但是,为了由这种开关获得最大的效益,对结构中元件的选择,驱动电路,吸收电路和电路布局都必须进行仔细考虑,本文介绍了分立MOS-双极达林顿开关的开关特性,这样,在高性能功率开关的成功设计中就可以考虑这些因素。
  • VVVF逆变装置的技术动向 收费下载
  • 效率达90%的MOSFET同步整流器第一部分 收费下载
  • 双晶体管电流型正向变流器的设计依据第一部分:总体设计 收费下载
  • 本文介绍了150W,150kHz双晶体管电流型正向变流器的设计,其中包括噪声控制,反馈,电路分析及磁性元件设计。
  • 采用等脉宽调制的三相ac—dc GTO变流器(EPWM) 收费下载
  • 针对三相ac-dc GTO变流器馈电的直流电机的电源和负载特性,比较地介绍了等脉宽,三角波,阶梯波,正弦波及反正弦波脉宽调制(PWM)几种方案,详细研究了等脉宽调制(EPWM)二明限GTO变流器,这是因为:据发现在诸方案中其各方面的的性能都比较好,本文报导了能使GTO开关的总次数减少和命名每个电源周期中GTO的开关时间相等的一种新式的对称门极脉冲模式,此模式对开关损耗具有利的作用,开关频率高时更为明显,用一个单独的GTO变流器可获得整流和逆变之间平滑的,连续的变换,设计,制造了这种变流器,采用-3马力实验用他激直流电机进行了试验,实验结果与理论非常一致。
  • 牵引驱动用高压GTO斩波器的设计 收费下载
  • 设想用两只串联大功率4500V 2500AGTO构成有效值为400V800A的斩波器,本文提出了GTO串联连接的条件,GTO的选择基准,吸收回路的设计及适用的GTO控制,然后讨论了这种的优缺点,给出了有关GTO换相,吸收电路的详细试验结果。讨论了重要参数如负载电流对GTO瞬态电压分配的影响。 由于GTO串联易于用在铁路牵引系统的高压变流器中,这里将介绍两个工业应用实例。
  • 全桥与半桥串联谐振逆变器在高频大功率应用中的性能比较 收费下载
  • 负载换相全桥与半桥串联谐振逆变器具有双重性,工作频率较低时,限di/dt电感Ls对逆变器性能的影响可以忽略,但是高频下LS对各元器件的额定值却起决定作用,从而造成两种逆变器性能上的显著差异,性能差异随工作频率而变,高频下尤为明显,为了研究高频下逆变器的工作性能,本文其对进行了详细分析(包括Ls影响),根据逆变器及补偿电容的容量,对两种逆变器进行了比较。
  • 《国外电力电子技术》封面

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