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文献检索:
  • 低熔钛体瓷研制及其性能研究 免费阅读 收费下载
  • 采用硼硅酸盐玻璃体系制备低熔钛专用体瓷,研究了体瓷组成与热膨胀系数的关系,并采用XRD和细胞毒性实验分别研究了钛体瓷的晶相组成和生物相容性。结果表明:钛体瓷为不含晶体的均质玻璃体,其热膨胀系数随SiO2含量的增加而减小;所研制的钛体瓷细胞毒性为0级,生物相容性良好,可望进一步应用于临床修复。
  • 抑制多级降压收集极二次电子发射的研究进展 免费阅读 收费下载
  • 简述了热解石墨、高纯各向同性石墨和无氧铜材料的二次电子发射特性,以及离子束表面改性对二次电子发射特性的影响。分析表明热解石墨和高纯各向同性石墨的二次电子发射系数均明显低于无氧铜的二次电子发射系数,并且通过离子束表面改性后二次电子发射系数能够得到进一步的降低。同样的,离子束表面改性后的无氧铜的二次电子发射系数也得到一定的降低,并且还有很大的发展空间。
  • 铝电解电容器用电子铝箔的性能分析与比较 免费阅读 收费下载
  • 利用原子吸收光谱仪(AAS)、电子扫描电镜(SEM)、电子背散射技术(EBSD)、电化学工作站等方法对不同厂家生产的铝电解电容器用电子铝箔各方面的性能进行比较和分析。结果表明,国产铝箔在微量元素设计和杂质控制,立方织构控制方面已达到国外同类产品的先进技术水平,但表面加工质量,氧化层均一性和微量元素的分布控制方面与国外存在差距。
  • 基于SCR的SOI ESD保护器件研究 免费阅读 收费下载
  • 本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。
  • 磁致双折射和二向色性对磁性液体薄片的光透射率弛豫特性的影响 免费阅读 收费下载
  • 基于Xu等人的经典振荡磁偶极子模型和Matsumoto等人给出的双折射驰豫理论,研究了磁致双折射和二向色性对磁性液体薄片的光透射率弛豫特性的影响。理论推导了磁性液体的双折射和二向色性函数的偏振光透射率具体表达式,并进行了数值模拟计算。该问题的研究对磁性液体光学各向异性的深入认识以及相关磁性液体光学器件的应用具有一定的指导意义。
  • 一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法 免费阅读 收费下载
  • 在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅。加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增加而减小。通过优化工艺参数,制备得到了单分散的、粒径只有11nm的氧化硅颗粒。而且,在相同的反应体系中,所制备的氧化硅颗粒能够作为晶种再次生长,通过滴加不同浓度的TEOS能够得到粒径大小可控的氧化硅颗粒。
  • 雾化-热分解法合成氧化铁纳米粒子及其磁性能 免费阅读 收费下载
  • 建立了将五羰基铁超声雾化、分段加热分解-氧化及产物收集-修饰一体化的氧化铁纳米粒子合成装置,研究了不同温度参数对纳米粒子的相组成和形貌的影响,并通过在雾化液及收集液中添加修饰剂以控制合成纳米粒子的粒径和分散性。采用XRD、TEM和SQUID对合成的纳米粒子进行了表征。成功合成了不同结晶性和分散性的球形γ-Fe2O3纳米粒子。随着粒径减小,合成纳米粒子由顺磁性过渡到超顺磁性。
  • 硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响 免费阅读 收费下载
  • 研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。
  • PECVD法生长氮化硅薄膜及其微结构梁特性的研究 免费阅读 收费下载
  • 采用化学气相沉积法(PECVD)在石英基片上制备氮化硅薄膜,应用MEMS工艺将氮化硅薄膜制作成双端固定的微结构梁,纳米压痕仪测量氮化硅薄膜的杨氏模量表明其值在136~172 Gpa之间,用曲率半径法测试薄膜的残余应力,并对微结构梁的弹性系数进行计算,结果表明弹性系数值在11.4~57 N/m.之间,根据实验所得弹性系数对微结构梁的驱动电压进行计算,其驱动电压在32.8~73V之间,微结构梁的实际驱动电压测得为34~60V。
  • 基于不同阻挡层材料的铜互连热应力有限元分析 免费阅读 收费下载
  • 本文利用ANSYS有限元软件分别对用TaN和ZrN作为扩散阻挡层的Cu/barrier/SiO2/Si结构中铜线的热应力分布进行仿真。研究热载荷350℃到20℃不同阻挡层材料单大马士革和双大马士革两种结构铜互连线的热应力。通过仿真结果得到:单大马士革结构中,在阻挡层材料为ZrN时铜线中等效应力(700MPa)比阻挡层材料为TaN时等效应力(800MPa)小;双大马士革结构中,用ZrN作为阻挡层铜线中各个方向的热应力σx、σy和σz分别比TaN作为阻挡层时小100MPa、300MPa和200MPa。本文还研究阻挡层材料分别为ZrN和TaN时,改变阻挡层的厚度对铜线热应力的影响。结果表明,热应力随着阻挡层厚度的增加而增加。各种厚度ZrN作为扩散阻挡层时的应力都比TaN作为扩散阻挡层的应力小,x、y和z方向的应力SX(ZrN)、SY(ZrN)和SZ(ZrN)分别减少了50MPa、200MPa和50MPa。
  • DFN封装器件热-结构模拟仿真分析 免费阅读 收费下载
  • 借助有限元模拟仿真软件ANSYS,研究分析了不同的封装体、芯片和框架厚度,以及散热底和芯片基岛尺寸对于小尺寸两边扁平无引脚(DFN)封装器件在回流焊温度条件下的热应力及翘曲变形分布影响。结果表明:封装体等效热应力最大处位置均位于框架、芯片和塑封料将银浆包裹处(即:银浆溢出的三角区域),其数值随封装体厚度减薄呈递减趋势;整体的热应力分布也随之沿着芯片、银浆和框架结合界面的中心位置向银浆三角区域延伸并逐步增大;对于薄型DFN封装体,芯片厚度、散热底和芯片基岛尺寸对于封装体总体翘曲变形的影响较小;框架厚度对于封装体总体翘曲变形及等效应力的影响较大;通过适当地减薄封装体厚度,并同时减薄框架厚度可以有效地降低封装体热应力,且总体翘曲变形都在1um以下。
  • 碳纳米管互连的研究进展 免费阅读 收费下载
  • 随着集成电路的不断发展,电路中互连线规模越来越大,尺寸越来越小,需要承受的电流密度越来越大。在这种趋势下,传统的铜互连线的有效性和可靠性都随之变差。由于碳纳米管具有良好的电学,热学和机械性能,使其成为目前研究较热的互连材料之一。本文概述了碳纳米管用于集成电路互连的优势,碳纳米管互连的电路模型,碳纳米管互连面临的挑战及其最新的研究进展,并展望了碳纳米管作为集成互连的研究前景。
  • CuSO_4溶液包覆Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷介电性能的研究 免费阅读 收费下载
  • 以BaCO3和TiO2粉末进行固相反应来合成Ba2Ti9O20主晶相,以CuSO4溶液为先驱体引入CuO来降低瓷料的烧结温度,CuO薄层修饰陶瓷粉体表面。这种方法减少了烧结助剂的加入量从而降低了对陶瓷材料介电性能的恶化。介电常数(εr)随着CuSO4溶液浓度的增大先增大后略有减小。介电损耗(tanδ)随着CuSO4溶液浓度的增大先减小后增大。CuSO4溶液的浓度为0.32mol/l,1200℃烧结4h后得到良好的介电性能:εr=43,tanδ=0.005,τf=-7ppm/℃(1MHz)。
  • 化学沉积参数对CdS薄膜前驱物利用率的影响 免费阅读 收费下载
  • 采用化学水浴法,在醋酸镉、硫脲、氨水、醋酸铵的体系中制备CdS薄膜,设计L2556正交实验,研究了各沉积参数对前驱物利用率的影响。结果表明,随前驱物醋酸镉、硫脲各自浓度的增加,其自身的利用率下降,但另一方的利用率上升。前驱物的利用率随络合剂醋酸铵浓度的增加先增大后减小,随氨水浓度的增加先减小后增大;其利用率随反应条件温度的增大先增大后保持稳定,随转速的加快先保持稳定后降低,最后又小幅度上升。正交实验表明,当醋酸镉、硫脲、醋酸铵、氨水的浓度分别为2、14、30、400mM/L,温度为70℃,转速为200r/min时,前驱物醋酸镉与硫脲的综合利用率最高。
  • 以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能 免费阅读 收费下载
  • 应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。
  • 放电等离子烧结NdFeB磁体的磁化特征 免费阅读 收费下载
  • 利用放电等离子烧结技术(SPS)制备烧结钕铁硼磁体SPS NdFeB。为了更好地理解SPS Nd-FeB磁体的磁硬化机理,利用振动样品磁强计研究了SPS NdFeB磁体在室温下的磁化和反磁化过程。结果表明,在强度为800kA/m的较低外加磁场和强度为1760kA/m的较高外加磁场下的磁化特征明显不同,前者可称为形核控制模式,后者则为钉扎控制模式。比较样品的磁化过程和反磁化过程的曲线,发现样品的矫顽力大小等于样品磁化过程钉扎场的大小。
  • [论文]
    低熔钛体瓷研制及其性能研究(郭立童[1,2] 石瑶[2] 刘杰[2] 田军隆[2] 魏建国[2] 张晓斌[2] 郭天文[3])
    抑制多级降压收集极二次电子发射的研究进展(王加梅[1,2] 赵青[1] 武洪臣[2])
    铝电解电容器用电子铝箔的性能分析与比较(郑红梅[1] 吴玉程[1] 黄新民[1] 胡学飞[1] 刘勉诚[2] 杨蓓蓓[2])
    基于SCR的SOI ESD保护器件研究(夏超 王中健 何大伟 徐大伟 张有为 程新红 俞跃辉)
    磁致双折射和二向色性对磁性液体薄片的光透射率弛豫特性的影响(陆樟献[1] 龚雁[2] 王渊明[1] 王正才[3] 陈善飞[1])
    一种制备单分散超小粒径氧化硅颗粒的新方法(张磊[1,2,3] 刘卫丽[1,2] 宋志棠[1,2])
    雾化-热分解法合成氧化铁纳米粒子及其磁性能(王行展 张宝林)
    硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响(柳琴[1,2] 刘成[1] 叶晓军[1] 郭群超[2] 李红波[2] 陈鸣波[1,2])
    PECVD法生长氮化硅薄膜及其微结构梁特性的研究(于映[1] 张彤[2])
    基于不同阻挡层材料的铜互连热应力有限元分析(嵇凤丽 王颖 高松松 刘云涛)
    DFN封装器件热-结构模拟仿真分析(孟利敏[1] 闵嘉华[1] 梁小燕[1] 钱永彪[2])
    碳纳米管互连的研究进展(魏芹芹[1,2])
    CuSO_4溶液包覆Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷介电性能的研究(李谦 金彪 黄金亮 顾永军)
    化学沉积参数对CdS薄膜前驱物利用率的影响(王智平[1,2] 赵静[1] 王克振[1,2])
    以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能(闫会芳 赵庆勋 付跃举 刘卓佳 张婷 郭建新 任国强 刘保亭)
    放电等离子烧结NdFeB磁体的磁化特征(王公平[1] 李文波[1] 刘卫强[2] 岳明[2] 张久兴[2])
    《功能材料与器件学报》封面

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