微型夹钳的最新研究 免费阅读 下载全文 微型夹钳技术是微机电系统研究的重要内容，应用于微装配等领域，在微机电系统的研究及微型产品的研制开发中发挥着重要的作用。本文选取微型夹钳技术最新研究中有代表性的成果进行了回顾，对微型夹钳的结构材料、制作工艺和工作原理等进行了分析，介绍了微型夹钳的最新研究进展，慨括了研究特点及发展趋势。氮化碳薄膜的电化学沉积及其电阻率研究 免费阅读 下载全文 在ITO导电玻璃基底上，采用二氰二胺分散在DMF(N，N—二甲基甲酰胺)中形成的溶液做沉积液，阴极电化学沉积了CNx薄膜。X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶转换红外光谱(FTIR)的分析结果表明，沉积的CNx薄膜的N／C比为0．7左右，碳和氮主要以C—N、C=N的形式成键，有少量的碳和氮以C=N的形式成键。拉曼光谱测试发现其存在多个吸收峰，对其进行分析的结果表明薄膜样品中含有α—C3N4和β—C3N4相的成分。电阻率测试表明，氮化碳薄膜的电阻率值达到10^12～10^13Ω·cm。射频溅射两步法制备立方氮化硼（c—BN）薄膜 免费阅读 下载全文 用常规射频(RF)溅射系统，采用两步法在Si(111)衬底上制备出较高粘附性的立方氮化硼(c—BN)薄膜。沉积过程分为成核(第一步)和生长(第二步)两步，当由第一步变为第二步时，工作气体由Ar气变为Ar和N2的混合气体，衬底温度和偏压也降为较低的值。对不同生长阶段的薄膜进行了SEM、FTIR分析，对最后沉积的薄膜进行了XPS分析。结果表明：采用两步法在Si(111)衬底上沉积的c—BN薄膜内应力较之常规方法减小约11．3GPa，薄膜的B、N原子之比为1．01，c—BN的体积分数为88％，薄膜置于自然环境中6个月尚未有剥离现象。文中还讨论了c—BN薄膜的综合生长机制。V2O5薄膜结构和性能研究 免费阅读 下载全文 在常温下，用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜，经过450℃退火，得到V2O5薄膜。用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试，用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明，V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。室温到320℃范围内电阻变化2个量级，薄膜的光学能隙为2．46eV，与V2O5体材料性能一致。电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜 免费阅读 下载全文 为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料，采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111)、(311)晶体取向的CeO2薄膜，为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础。同时，从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨。由于CeO2(111)、(311)面为密排面和次密排面，在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低，所以，退火后形成了(111)、(311)结构的CeO2薄膜。掺Er—Al2O3薄膜发光特性的研究 免费阅读 下载全文 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜，在120keV下注入5×10^15cm^-2Er离子，Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线，随退火温度升高，发光强度上升。973K退火下发光强度特别低，并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强，波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514．5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。快淬速度对（Nd，Pr）10．5（FeCoZr）83．5B6显微结构和磁性能的影响 免费阅读 下载全文 采用部分过快淬加后续晶化退火处理工艺，研究了快淬速度对低稀土含量双相复合(Nd，Pr)10．5(FeCoZr)83．5B6合金显微结构和粘结磁体磁性能的影响。合金快淬转轮线速度为24，26，28和30m·s^-1，退火温度655～715℃，退火时间5～20min。快淬速度直接影响条带的显微结构和磁体磁性能。以26m·s^-1速度快淬出的条带，快淬态由非晶和微晶混合组成，在700℃经10min晶化处理，可获得平均晶粒尺寸约30nm的均匀、细小显微组织，磁性能也最佳。用3．25wt％环氧树脂粘结的磁体磁性能为：Br=0．703T，Hci=544kA·m^-1，Hcb=351kA·m^-1，(BH)m=70kJ·m^-3。SC铸片微结构对烧结NdFeB结构与磁性能的影响 免费阅读 下载全文 研究了铸片工艺SC(Strip Casting)制备的合金铸片的微结构对烧结钕铁硼磁体微结构与磁性能的影响。结果表明：冷却速度过高时铸片厚度变薄，同时在急冷面产生细小的等轴晶，使烧结磁体容易出现固固烧结现象和主相品粒的反常长大，降低了磁体的永磁性能；采用合适的冷却速度制备的铸片几乎全部由厚度3～5μm片状晶组成，且被富钕相薄层均匀隔开，采用该类铸片可以获得高永磁性能的烧结磁体，其永磁性能达到：Br=1．44T，jHc=877KA／m，(BH)max=398kJ／m^3（50MGOe)。γ—Fe2O3响应苯类气体敏感材料特性研究 免费阅读 下载全文 从电导控制理论，对掺钇、硫酸根离子等多元化、微结构γ—Fe2O3的热稳定性、响应苯类气体敏感性及其对相邻气体的高选择性，进行了系统研究与机理分析，并用DTA、TEM、RQ-1等方法进行表征与测量。结果表明，掺入适量Y2O3后能使γ—Fe2O3的相变温度提高到618℃，从而改善γ—Fe2O3基气敏元件的热稳定性；硫酸根离子和金离子的适量掺杂有助于提高苯类气体的敏感特性；γ—Fe2O3基体材料的微细化可增强γ—Fe2O3的表面气敏特性。从而为苯类有机气体敏感元件研制提供了一条新途径。纳米微孔氧化硅玻璃在与Nd^3＋—ZBLAN复合过程中的失透 免费阅读 下载全文 在将玻璃片置于Nd^3+—ZBLAN熔体中对微孔灌注复合时，纳米微孔氧化硅玻璃片中部发生失透，失透部分出现50—100μm晶态鳞片，而鳞片中仍然存在纳米微孔。复合层仍处于非晶态。氧化硅被孔中氢氧化钠腐蚀形成晶籽，而孔中的高气压有助于结晶的发展。中国材料研究学会将举办2004国际稀土研究与应用研讨会 免费阅读 下载全文 催化剂对螺旋形碳晶须生长的影响 免费阅读 下载全文 以Ni粉为催化剂，用化学气相沉积(CVD)法，在高温下催化热解乙炔(C2H2)，制备出了螺旋形碳晶须材料。实验结果表明，Ni粉的颗粒尺寸及表面形貌对螺旋形碳晶须的形貌、直径、螺距有较大的影响。用直径为几十微米，表面为熔融状的小颗粒Ni粉作催化剂，制备的碳晶须呈绞绳状的较多，螺旋直径为130—180nm，螺距为100—350nm；用直径为几百纳米、表面为毛刺状的Ni粉作催化剂，则制备的碳晶须呈管状的较多，其螺旋直径为280—310nm，螺距为150—180nm。2004年中国材料研讨会（2004年11月）征文通知 免费阅读 下载全文 转动竖直镜面的微机械光开关 免费阅读 下载全文 提出并制作了转动竖直微镜的微机械光开关，采用曲线形状的电极设计，有效地减低了悬臂梁驱动器的吸合电压，采用体硅深刻蚀技术结合(110)硅的各向异性腐蚀技术制备了光开关芯片和耦合对准的U形槽和卡簧。芯片经初步封装后进行了电学测试和光学测试，测得吸合电压78．5V，谐振频率2．3kHz，光开关损耗5dB，隔离度45dB。N型La0．9NixCo4-xSb12化合物的制备及热电性能研究 免费阅读 下载全文 采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了N型La0．9NixCo4-xSb12(x=0．05—1．0)化合物热电材料。借助于先进的结构和性能表征手段，系统研究了Ni含量对化合物热电性能的影响规律。实验结果表明，随着Ni含量增加，La0．9NixCo4-xSb12化合物的电阻率和Seebeck系数减小。当Ni含量x<0．6时，化合物的热导率随Ni含量增大而降低，说明加入一定量的Ni能很好地降低材料的热导率。N型La0．9NixCo4-xSb12化合物在温度773K时具有最大的热电性能优值(ZT)0．4558。高阻硅掩膜选择性生长多孔硅阵列 免费阅读 下载全文 介绍一种在低阻P型硅衬底上用氢离子注入技术形成局部高阻硅掩膜，用电化学腐蚀选择性生长多孔硅微阵列的工艺流程。结果证明，用高阻硅掩膜选择性生长多孔硅具有很好的掩蔽效果，生成的多孔硅阵列的有序性和完整性良好。一种新型低阻SOIP—LDMOS研究 免费阅读 下载全文 提出了一种新型SOIP—LDMOS器件，其大部分漂移区不覆盖场氧，从而避免了因生长场氧的高温过程而引起的硼杂质分凝效应，并在制备场氧、栅氧之后进行漂移区表面注入，由于注入后没有长时间的高温过程，进一步提高了漂移区表面的掺杂浓度。模拟结果表明新型P—LDMOS性能得到明显改善，与传统P—LDMOS相比开态导通电阻降低了24．7％，击穿电压提高了17．3％，饱和电流提高了26．7％。1—3型压电复合材料的机械品质因素 免费阅读 下载全文 采用切割—填充法制作1—3型压电复合材料，PZT—5A作为压电相，改性618环氧树脂作为聚合物相。研究了1—3型压电复合材料的机械品质因素Qm值与压电相的体积分数及形状参数的关系。压电相的体积分数及形状参数优选后的1—3型压电复合材料可获得较低的机械品质因素Qm值，其值可达10，谐振频率可达850kHz，频带宽度可达86kHz。CN NCFMA’04第五届中国功能材料及其应用学术会议 免费阅读 下载全文 铁电阴极几何参数对二极管电子发射的影响 免费阅读 下载全文 主要讨论了触发电场的脉宽和阴极几何参数对铁电二极管电子发射的影响，通过对不同脉宽激励下的电子发射试验发现触发脉冲的最佳工作宽度范围是150—250ns。对不同几何参数铁电阴极片在正脉冲激励下的电子发射研究指出：一般实验条件下(触发电压小于4kV／mm)，触发梯度电场相同时，阴极越厚，条栅电极越细密，发射电流密度越大；极化反转发射中前沿发射方式和后沿发射方式可以共时存在。Cr2O3对（Co，Ta）掺杂的SnO2压敏电阻电学特性的影响 免费阅读 下载全文 研究了Cr对(Co，Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0增加到0．15mol％时，(Co，Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V／mm增加到493v／mm；1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498；晶界势垒高度分析表明，SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因。对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释。掺杂0．15mol％Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24，击穿电压达498V／mm，在高压保护领域有很好的应用前景。微机械气动红外传感器的流体分析 免费阅读 下载全文 提出了一种可工作于室温环境下的微型气动红外传感器，它基于气体吸收特定波段的红外辐射后产生的一系列热效应为物理基础，可获得包含红外辐射源信息的信号。为深入研究热效应所产生的微热信号对器件整体性能的控制和影响，优化器件的几何结构和行为，建立了符合器件工作机制的经典热传输模型，并在此基础上，利用通用商业有限元模拟软件ANSYS／FLORTRAN进行流体—结构耦合分析，获得了微型腔体温度，流—固界面压力分布情况以及薄膜的弹性形变，掌握了微结构的机械特性以及流畅的热输运特性。隧道级联大功率半导体激光器热特性分析 免费阅读 下载全文 基于光谱法，通过测量靠近衬底的有源区波长的变化来表征其温度的变化，计算了隧道级联多有源区大功率半导体激光器的热阻。与普通半导体激光器相比，随着有源区数目的增多该热阻有增大的趋势，但并没有成倍增加，主要原因是隧道级联半导体激光器的串连电阻没有成倍增加。La0．67Ca0．33MnO3／YBa2Cu4O8／La0．67Ca0．33MnO3三效应研究层膜的时间 免费阅读 下载全文 报导了La0．67Ca0．33MnO3／YBa2Cu4O8／La0．67Ca0．33MnO3薄膜中超导特性的时间效应。样品在空气中存放11个月后，超导转变温度都降低，而且每个系列样品的临界厚度增加。对用La0．67Ca0．33MnO3作保护层的YBa2Cu4O8薄膜进行时间效应测量，结果表明当La0．67Ca0．33MnO3层的厚度大于40nm时可以防止水对YBa2Cu4O8薄膜的影响。缩聚多元醇液相还原法制纳米镍粉及其表征 免费阅读 下载全文 采用四水醋酸镍[Ni(CH3COO)2·4H2O]为原料，一缩二乙二醇为液相还原剂，在一定的温度下进行反应，制备了纳米镍粉。测试结果表明：所制得的镍粉呈无团聚的球形颗粒，且粒径分布均匀，其晶粒尺寸约50hm，呈面心立方晶体结构，其比表面积为13．48m^2·g^-1；热分析表明纳米镍粉在空气中300℃开始氧化，到600℃时氧化完全。多周期大尺寸均匀极化PPLN晶片的制备 免费阅读 下载全文 采用外加电场极化法，运用两步多次高电压脉冲触发的技术，成功地制备出均匀极化区面积为32mm×40mm、具有21个周期(∧=27—31μm)、Z切0．5mm厚度的PPLN晶片。晶片的畴反转占空比接近50％，每一周期的大小为1．5mm×40mm，可用于大调谐范围的光参量振荡器。同时，实验给出了制备高品质PPLN晶片的高压触发脉冲的波形，其中，第一步高压触发脉冲为5μs，强度为100kV／mm，第二步高压触发脉冲宽度为50ms，强度为24kV／mm。掺杂稀土元素对BaTiO3系统介电性能的影响 免费阅读 下载全文 研究了稀土氧化物Sm2O3及Gd2O3的掺杂对细晶BaTiO3系统介电性能的影响。稀土添加剂Sm2O3的掺杂可以形成化学均匀性系统，对居里峰有明显的改善作用；Gd2O3的掺杂可以形成化学非均匀性系统即壳—芯结构，这可以使细晶BaTiO3系统获得理想的介电性能，满足X7R特性。水性镍基电磁屏蔽涂料的研究 免费阅读 下载全文 叙述了水性镍基电磁屏蔽涂料的制作及涂层的有关性能，探讨了水、温度、涂层厚度等因素对屏蔽涂层的电阻率及电磁屏蔽效能的影响规律。试验表明，在频率为9KHz—1000MHz范围内，屏蔽效能为45—60dB。基于导电AFM类金刚石膜表面改性研究 免费阅读 下载全文 用导电原子力显微镜(AFM)针对宏观上绝缘，微观上由导电相sp^2和绝缘相sp^3混合的类金刚石(DLC)膜，进行表面改性的研究，尤其观察DLC膜表面施加电压前后形貌变化。实验表明，当直流电压加在针尖上，DLC膜形貌未发生变化，而电压施加在样品表面则出现明显纳米加工凹坑。解释了凹坑的“蝴蝶坑”形成原因；对DLC膜力电耦合实验表明，在一定临界压力之下，随针尖对样品作用力的加大，凹坑的深度随之增加。软性沉降磁流变液的研制及性能实验研究 免费阅读 下载全文 首先从磁性颗粒的沉降状态出发，提出了磁流变液软性沉降的概念及形成途径；而后在此基础上，研制成功了两种以OP乳化剂和有机粘土为触变剂的、具有软性沉降特征的磁流变液；最后探讨了两种添加剂的作用机理。新型体全息窄带滤光器的光学特性研究 免费阅读 下载全文 用紫外／可见分光光度计测定由DCG记录的透射式体全息窄带带阻滤光器的光谱特性，分析其滤波特性。测量结果分析表明，滤光器有较窄的带宽，其半宽度小于13nm，1／10宽度小于19nm。在400—800nm可见光区域，对其主谱线的相对透过率小于2％，其它谱线的相对透过率大于85％。对半导体泵浦激光器主谱线532、0nm有优良的滤光特性。碳／碳／Al2O3陶瓷功能梯度材料的制备与研究 免费阅读 下载全文 从功能梯度材料的原材料的筛选、制备工艺路线的确定出发，对碳／碳／Al2O3陶瓷功能梯度材料的组分分布、微观结构、烧蚀性能及热学性能进行了研究。从试样内表面向外表面，基体碳含量从88％变化到近乎为15％，而Al2O3陶瓷含量从12％变化到85％左右。材料内表面氧—乙炔烧蚀率为0．012nn／s，这表现为碳／碳材料的特性。材料外表面的导热系数达到0．86W／m·K(25℃)，表现为良好的隔热效果。高分子／富勒烯光伏电池的研究进展 免费阅读 下载全文 高分子／富勒烯光伏电池是近些年来研究比较广泛的一类新型聚合物光伏器件。本文详细分析了高分子／富勒烯光伏电池的分类及工作原理，并介绍了以共轭高分子作为电子给体材料，富勒烯及其衍生物作为电子受体材料的高分子／富勒烯光伏电池的研究进展。基于不锈钢基板的大功率厚膜电热元件制备技术 免费阅读 下载全文 介绍了基于不锈钢基板的大功率密度厚膜电热元件的研究现状，并对厚膜电路式电热元件的关键技术进行阐述，包括大功率密度电热元件所用基板材料和基于基板的电子浆料的使用要求，以及电热元件的制备工艺；最后分析了该新型电热元件的应用前景和所要解决的问题。
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