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文献检索:
  • 大功率单色LED拟合日光光谱研究
  • 利用一种新的单色LED光谱辐射模型建立大功率单色LED模拟仿真数据库;研究了通过多光谱叠加设计拟合日光光谱,确定了最佳的LED组合;在此基础上,系统分析了不同LED组合对日光光谱的拟合效果。结果表明,大功率单色LED已可以实现对日光光谱较好模拟,最佳组合包含23种不同种类LED,与日光光谱拟合相关指数达到82.06%。当组合中LED种类增加,对拟合相关指数无影响。当种类减少至16种时,相关指数缓慢减至79.97%,再进一步减少时,相关指数下降剧烈,选取的LED达到12种时,相关指数为45.27%。研究结果对实际选取LED种类模拟日光光谱,实现不同程度类日光照明具有指导意义。
  • 新型SnO2微气敏传感器的设计
  • 设计了一种新型微气敏传感器的结构,采用SnO2作为敏感材料,并利用ANSYS软件仿真分析,优化了该传感器的某些结构参数。结果得出:传感器基底结构中从上往下SiO2-Si-SiO2三层材料的厚度依次为10,120,170μm,加热电极和测量电极宽度为10,30μm时,微传感器SnO2材料区域的温度为高温态且分布均匀,并且此结构的传感器中心材料区域的磁场强度为最小值9.84×10~(-10)A/M,与最大值383.066 A/M相比可忽略不计。
  • 透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究
  • 在p型GaN(0001)光电阴极的化学腐蚀和高温热清洗的处理过程中,为了评价化学处理和热清洗的效果,利用X射线光电子谱分析了不同阶段的光电阴极表面状况。结果表明,开始处理前,表面存在严重的C、O污染,C的表面覆盖率接近2个单原子层,而O稍小于1个单原子层,并且表面生成Ga2O3氧化层。经2:2:1的H2SO4:H2O2:H2O混合溶液化学腐蚀处理后,C的表面覆盖率为0.36个单原子层,O的覆盖率为0.21个单原子层,化学腐蚀去除了大部分的C、O污染,露出了体材料。700℃高温热处理后,表面的C覆盖率低于百分之一个单原子层,而O的覆盖率也仅为0.07个单原子层,基本去除了C、O污染,并且表面Ga:N比为1.01:1,达到体材料的理想配比。GaN光电阴极在H2SO4/H2O2混合溶液中腐蚀15 min并在700℃下真空热清洗30min后,可以有效去除C、O污染和氧化物,获得洁净表面,进行Cs-O激活后可以获得负电子亲和势。
  • 一种多物理场耦合计算的趋正剖分算法
  • 针对现有的软件不能很好的解决真空断路器多物理场耦合计算问题,自行开发有针对性的软件是一个良好的途径。本文以断路器灭弧系统为研究对象,重点研究二维物理场的自动剖分问题,以趋正三角形剖分为目标,提出一种改进波前法的自适应算法。采取均匀离散和滑移边界的渐变离散相结合的策略,以最小内角最大为主要约束条件提出了单元的动态生成模式,进而得到剖分的局部最优方案。利用循环队列存储剖分孔洞并通过再剖分方法有效的解决漏剖问题。提出一种涟漪模型改进了Laplacian光滑技术,优化了结果中出现的劣质单元。实验分析表明,算法实现了高质量的剖分目标,能有效的提高物理场计算的质量和效率。
  • 用于Ka波段行波管的反射式可调预失真线性化器
  • 为了解决目前模拟预失真器存在的可调性差,增益和相位斜率补偿不够的问题,减小预失真器增益扩展和相位扩张之间的相互影响。本文介绍一种工作于Ka波段的反射式模拟预失真电路,该电路基于90°电桥、肖特基二极管、变容二极管产生预失真信号,利用90°电桥的特性实现电路的匹配,同时通过改变肖特基二极管及变容二极管两端的偏置电压实现对预失真电路的增益扩展和相位扩张特性的控制调节。接着对预失真电路进行非线性分析与仿真验证,在此基础上,将所设计的电路加工为实际的预失真线性化器并与Ka波段的空间行波管联合测试,测试结果表明,线性化后的行波管增益和相位特性从之前的-7 dB和-45°改善到-0.5 dB和-3.5°,三阶交调改善了7.5 dB。
  • 一种浸渍式钨酸盐阴极的制备与发射性能
  • 本文开展了活性物质为钨酸钡锶的浸渍式钨酸盐钡钨阴极的研究,主要包括钨酸钡锶盐的合成,浸渍式钨酸钡锶阴极的制备及其发射性能的测试。实验结果表明:在1400℃空气气氛中合成了主要相为Ba_3WO_6及Ba_2SrWO_6的钨酸钡锶盐。在1800℃浸渍该钨酸盐与氢化锆的混合物成功制备了浸渍式钨酸盐阴极,阴极发射性能测试结果表明在1050℃_(br)和1000℃_(br)时直流发射电流密度分别为7.54和4.30 A/cm~2。
  • 水环泵在钢液真空精炼领域的应用探讨
  • 钢液真空精炼系统的抽真空设备通常采用多级串联的蒸汽喷射真空泵。由于蒸汽喷射泵具有运行所需蒸汽与冷却水耗量大的缺点,导致生产运营成本很高,因此节能型水环泵替代多级串联蒸汽喷射泵最后一级蒸汽喷射泵在钢液真空精炼领域中的应用越来越普遍。本文深入探讨了泵口吸入绝对压力、理论气量、实际气量和叶轮转速等因素对水环泵选型的影响,并对如何避免真空泵系统停泵过程中水环泵产生振动与噪音和如何循环利用水环泵工作液提出了解决措施。
  • 大型空间环境模拟设备真空容器可靠性优化设计
  • 为了解决大型空间环境模拟设备真空容器的传统设计方法效率低,且无法进行可靠性分析等问题,将可靠性设计及优化设计方法相结合,给出了真空容器可靠性指数的定义并建立了真空容器可靠性优化数学模型。进而,基于该模型及序列二次规划算法开发了真空容器可靠性优化设计专用软件。最后,通过设计算例及有限元分析验证了数学模型的准确性和优化结果的可行性。与原始设计相比,可靠性优化设计在保证可靠度不低于99.999%的前提下,使结构质量减小了34.2%。
  • 基于热管传热的盐溶液真空雾化闪蒸水分离实验研究
  • 基于利用低品位热源探求新的节能途径以降低海水淡化成本的目的,借用热管的高热流密度传热特性设计并搭建了盐溶液在真空条件下的雾化闪蒸水分离实验台,实验初步测试了影响水分离率的主要因素,分析了不同壁厚热管轴向的温度分布规律及传热性能。结果表明:喷雾特性、低品位热源温度等都是影响水分离率的重要因素;热管能迅速将热量传递给正处于闪蒸降温过程中的盐溶液液滴,即使在35~40℃的低品位热源驱动下,也可实现较高的水分离率;直径10 mm长450mm的热管导热功率最高可达150 W。
  • 基于三维实体模型的玉米颗粒真空干燥数值模拟
  • 针对真空干燥时单体玉米颗粒内部的传热传质过程,开展基于三维实体模型的模拟研究。使用高精度CT扫描玉米颗粒,图像经MIMICS、ANSYS处理,建立实体模型。以傅里叶传热方程、菲克扩散方程作为控制方程,当量辐射传热和表面水分蒸发传质作为边界条件,使用COMSOL软件完成模拟。模拟结果显示干燥过程中颗粒内部为传质控制过程,提高辐射板温度和真空度均能加快干燥,但真空度高于5.5 kPa后效果不明显,玉米初始含水量增大和初始温度降低,会增加总的干燥时间和能耗。
  • 真空蒸馏-分级冷凝法处理铜浮渣的应用研究
  • 铜浮渣是粗铅火法精炼除铜过程的产物,针对铜浮渣现有工艺流程长,环境污染,工作环境差等缺点,本文采用"真空蒸馏-分级冷凝"的方法,对铜浮渣进行脱硫和脱铅以及回收铜银锑的应用研究,对金属及硫化物的饱和蒸气压进行了理论分析,考察了蒸馏温度,恒温时间对铅和硫的脱除率和铜银锑的直收率的影响。实验结果表明:在蒸馏温度1523 K、炉内压强20~160 Pa、保温4.5 h的条件下,一级冷凝物为含硫10%的硫化物,二级冷凝物为含铜1.17%的粗铅,残留物为含铅0.46%,含硫0.21%的铜银锑合金。
  • 真空蒸馏分离脆硫铅锑精矿中闪锌矿的实验研究
  • 提出了一种利用真空蒸馏从脆硫铅锑精矿中分离闪锌矿的方法,从理论上分析了闪锌矿与脆硫铅锑精矿分离的可行性并开展了实验研究。理论计算结果表明,Sb2S3,PbS,ZnS和FeS在实验温度范围内挥发性依次减弱且不会分解。对实验样品采取化学分析及X射线衍射和能量色散谱物相分析,探究蒸馏温度和保温时间对闪锌矿分离富集效果的影响,分析结果表明,通过真空蒸馏脆硫铅锑精矿的方法可以实现闪锌矿与其他硫化物的分离和富集,在温度为1073~1573 K,随着蒸馏温度和保温时间的增加,锌的富集比出现先增加后稳定的趋势,蒸馏温度的对闪锌矿分离的影响大于保温时间。当保温时间为1.0 h,蒸馏温度为1473 K,系统压力为50 Pa时,锌以闪锌矿形式存在于冷凝盘中,锌含量高达66.32%,接近于纯硫化锌中锌的含量66.67%。该方法为脆硫铅锑矿的冶炼提供的新方法,同时为含有闪锌矿的其他矿物提取闪锌矿提供了新思路。
  • 脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征
  • 利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计等表征手段,对不同条件(脉冲激光能量:90和140 rnJ;退火温度:100~400℃)下制备SnS薄膜的晶体结构、化学组分、表面形貌、光学特性等进行表征分析。结果表明:脉冲激光能量为140mJ、退火温度为300℃时所制备的SnS薄膜结晶质量良好、择优取向生长良好、成分接近理想配比(Sn:S=1:1.03)、光吸收系数为10~5 cm~(-1)量级。
  • 碳含量对NbVCN薄膜的微观结构、力学及摩擦磨损性能的影响
  • 采用磁控溅射法制备了不同C含量的NbVCN薄膜,研究了C含量对NbVCN薄膜微观结构、力学及摩擦磨损性能的影响。结果表明:四元NbVCN薄膜微观结构受C含量影响显著,当C含量小于6.3%,薄膜为fcc-NbN+hcp-NbN两相共存;随含量的进一步升高,薄膜中出现非晶石墨相,此时薄膜三相共存,为fcc-NbN+hcp-NbN+amorphous-graphite。NbVCN薄膜硬度随C含量的升高先上升后下降,当C含量为6.3%时,薄膜硬度最高,其最高值为29 GPa。室温下,NbVCN薄膜平均摩擦系数随C含量的升高逐渐降低,当C含量为15.3%时,薄膜平均摩擦系数最低,其最低值为0.34;随C含量的升高,NbVCN薄膜磨损率先降低后升高,当C含量为6.3%时,薄膜磨损率达到最小值,其最小值为1.86×10~(-8)mm~3·N~(-1)mm~(-1)。环境温度在200~700℃时,C含量为6.3%的薄膜的平均摩擦系数随着温度的升高逐渐降低,在700C时,薄膜获得最低摩擦系数,其最低值为0.53;薄膜的磨损率随温度的升高逐渐升高。
  • 静电卡盘与晶圆之间的接触热阻研究
  • 在等离子体刻蚀工艺中,晶圆的温度控制是关键的技术之一。控制晶圆温度的主要部件即是静电卡盘,因此静电卡盘与晶圆之间的接触热阻研究至关重要。晶圆是依靠静电而吸附在静电卡盘表面的,且粗糙接触面之间充有稀薄的氦气。本文将静电吸附的因素引入到经典的接触传热理论中,建立了静电卡盘与晶圆之间的接触传热模型,并研究了静电电压和气体压强对于接触传热系数的影响。此外,本文结合作者先前研究中建立并得到验证的全范畴气体导热模型,对静电吸附作用下的接触导热和稀薄气体条件下的气体导热进行了对比,得到了接触导热对总的导热效果的贡献比例。本文的研究有助于揭示静电卡盘和晶圆之间的传热机理,以及二者之间接触热阻的计算。
  • 高深宽比的TSV制作与填充技术
  • 硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。
  • 全自动薄膜应力仪
  • 基于基片弯曲法原理,利用光杠杆放大曲率的方法,本工作研制了一套高精度全自动薄膜应力测试仪。在前期工作的基础上,该仪器实现了样品中心自动定位,样品表面曲率半径高精度测试,以及薄膜残余应力值自动计算等功能。标准光学玻璃圆台表面曲率半径的实测结果表明,应力仪测试精度达到千分位。此外,TiN薄膜应力沿层深分布的测试结果进一步验证了设备的可靠性。
  • 工艺腔室温度场轮廓特性分析及传热结构设计
  • 反应腔室晶片表面温度分布是影响薄膜沉积均匀性的重要因素。本文以载有晶片的典型化学气相沉积反应腔室为研究对象,考虑了晶片与加热盘之间的微小间隙导致的低压下流固接触面的温度跳跃现象,建立了腔室温度仿真模型。通过模型和实验研究了腔室气压和气体流量对晶片表面温度分布的影响,并研究了温度分布轮廓的调节方法及传热结构设计。研究结果表明,晶圆表面平均温度随气压的增加而增加,随气体流量的增加而降低,晶片从中心到边缘温度分布轮廓存在下降的趋势。通过在加热盘和晶片之间加入阻抗介质,可以有效调节晶片表面温度分布轮廓。本文最后通过仿真手段,得到了能使晶片表面温度均匀分布的阻抗介质表面形状。本文的研究结果对指导腔室结构设计和工艺控制具有重要意义。
  • InP表面氮化对Al2O3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响
  • 采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al2O3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面质量,提高Al2O3/InP MOS电容的电学性能。氮化之后,在Al2O3/InP界面会形成一个约为0.8 nm厚的界面层,积累区频散由7.8%降低至3.5%,滞回由130减小至60 mV,界面缺陷密度由5×10~(12)降低至2×10~(12)cm~(-2)·eV~(-1),边界缺陷密度由9×10~(11)降低至5.85×10~(11)V~(-1)cm~(-2),栅漏电流由9×10~(-5)降低至2.5×10~(-7)A/cm~2,这些数据充分证明了采用N2等离子体直接处理InP表面来钝化Al2O3/InP界面的方法是有效的。
  • 太阳帆航天器研究进展及其关键技术分析
  • 简要阐述了太阳帆航天器的概念、推进原理,并对其技术特性、应用优势进行了分析。介绍了太阳帆航天器的研究现状,重点阐述了国外成功案例的具体细节,总结了国外对于太阳帆航天器的最新研究计划,分析了未来太阳帆航天器的发展趋势。随后重点讨论了太阳帆航天器结构设计技术、大面积薄膜制备技术、姿态控制技术、折叠展开技术以及地面试验技术等关键技术,总结分析了国内外对太阳帆各关键技术的解决策略及方法,为我国在该领域开展相关研究提供技术参考。
  • [电子器件]
    大功率单色LED拟合日光光谱研究(徐广强;张竞辉;曹冠英;邢明书;李德胜;于晶杰;邹念育)
    新型SnO2微气敏传感器的设计(刘丽丽;刘丽;李海英;王连元;何越)
    透射式p型GaN(0001)光电阴极的表面洁净度及表征研究(冯刘[1,2];石峰[1,2];苗壮[1,2];程宏昌[1,2];师宏立[1,2];高翔[1,2];王龙[1,2];牛森[1,2])
    一种多物理场耦合计算的趋正剖分算法(冯海文[1,2];刘晓明;牛连强)
    用于Ka波段行波管的反射式可调预失真线性化器(李文朝;张德伟;周东方;沈晖;李文霞)
    一种浸渍式钨酸盐阴极的制备与发射性能(胡明玮[1,2];王小霞;罗积润;漆世锴[1,2];李云)
    [真空技术与理论]
    水环泵在钢液真空精炼领域的应用探讨(欧洪林;许海虹;王逸名;张钟蓓;李伟坚)
    大型空间环境模拟设备真空容器可靠性优化设计(吕世增;韩潇;祁妍)
    基于热管传热的盐溶液真空雾化闪蒸水分离实验研究(高文忠;刘婷;李长松;徐畅达)
    基于三维实体模型的玉米颗粒真空干燥数值模拟(张世伟;陈帅;黎勋;张志军)
    [真空冶炼]
    真空蒸馏-分级冷凝法处理铜浮渣的应用研究(杨崇方[1,2,3];许娜;蒋文龙[1,2,3];刘大春[1,2,3];杨斌[1,2,3];刘繁松[1,2,3])
    真空蒸馏分离脆硫铅锑精矿中闪锌矿的实验研究(董朝望[1,2,3];熊恒[1,2,3];邓勇[1,2,3];王家驹[2,3];陈秀敏[1,2,3];杨斌[1,2,3];戴永年[1,2,3])
    [功能薄膜]
    脉冲激光沉积结合快速退火制备SnS薄膜及其表征(马明杰;刘磊;李学留;陈士荣;郭慧尔;余亮;梁齐)
    [结构薄膜]
    碳含量对NbVCN薄膜的微观结构、力学及摩擦磨损性能的影响(胡红霞;鞠洪博;许俊华)
    [工艺设备]
    静电卡盘与晶圆之间的接触热阻研究(孙钰淳;程嘉;路益嘉;季林红;王春财)
    [其他]
    高深宽比的TSV制作与填充技术(余成昇;许高斌;陈兴;马渊明;展明浩)
    全自动薄膜应力仪(赵升升;程毓;张小波;梁凯)
    工艺腔室温度场轮廓特性分析及传热结构设计(杨旺;刘学平;夏焕雄;向东;牟鹏)
    InP表面氮化对Al2O3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响(曹明民[1,2];林子曾[1,2];王盛凯;李琦;肖功利;高喜;刘洪刚;李海鸥)
    太阳帆航天器研究进展及其关键技术分析(左华平;冯煜东;王虎;许旻;吴春华;赵蕾)
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